Klad'ko V. P. Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, Z. V. Maksimenko, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 343-348. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Методом аналізу енергетичних залежностей інтегральної відбивної здатності в області довжин хвиль рентгенівських променів, розташованих між К-краями поглинання компонент GaAs, для квазізабороненого рефлексу (200) досліджено ступінь відхилення від стехіометрії, а також параметри мікродефектів у плівках GaAs:Si/GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|