Комплекс рентгенодифрактометричних досліджень кутових і спектральних залежностей коефіцієнта відбивання для квазізаборонених рефлексів дозволяє визначити параметри структурних мікродефектів (радіус r і концентрацію n), а також параметр нестехіометрії DELTA = C_A - C_B, де C_A, C_B є концентрацією компонентів гратки A і B. За допомогою трикристалічного спектрометра (ТКС) побудовано двовимірні порти розподілу дифузійного розсіювання (ДР) для характеристичного випромінювання в оберненому просторі для сильнолегованих (до 10²⁰ см^-3) плівок GaAs : Si/GaAs. Спектральні (енергетичні) залежності коефіцієнта відбивання виміряно однокристалічним (ОКС) спектрометром. У обох випадках використано формули теорії Молодкіна, розробленої для реального кристала з однорідно розподіленими мікродефектами, у процесі підгонки розрахункових значень до експериментальних у випадках TКС і ОКС для (200) і (400) рефлексів. Карти розподілу ДР отримано для Cu K_alpha-випромінювання за допомогою трикристалічного дифрактометра фірми Phillips. Добре узгодження між двома групами r^- і n^- параметрів мікродефектів (преципітатів) було показано для деякої плівки GaAs (r₁ = 3,5 мкм, n₁ = 4,3 ^. 10⁶ см^-3, r₂ = 4,8 мкм, n₂ = 9,4 ^. 10⁶ см^-3). Визначено параметр DELTA = 0,009 (надлишок Ga).

• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Мачулін Володимир Федорович (1950–2014) (фізико-математичні науки)
• Прокопенко Ігор Вікторович (медичні науки)
• Молодкін Вадим Борисович (1941–) (фізико-математичні науки)
• Максименко Зоя Василівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"