РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394789<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Prokopenko I. V. Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I. V. Prokopenko, E. N. Kislovskii, S. I. Olikhovskii, V. M. Tkach, P. M. Lytvyn, T. P. Vladimirova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 275-281. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Рентгенівським методом повних кривих дифракційного відбиття і неруйнівними методами прямого спостереження (атомно-силової та растрової електронної мікроскопії) встановлено кількісні значення характеристик (радіуси та концентрації) основних типів дефектів у монокристалах кремнію, вирощених за Чохральським і відпалених за 750 °С. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського