Експериментально вивчено шляхи створення омічних контактів метал-n⁺-Si з бар'єром Шоткі. Досліджено елементний, структурний і фазовий склади бар'єрних шарів контактної системи, а також межі поділу бар'єрний шар-напівпровідника, відповідно до методів і режимів формування та їх еволюції у процесі нагрівання та дії gamma-радіації ⁶⁰Co. Розглянуто варіанти технології формування бар'єрних шарів паладію, титану, золота методами термічного та магнетронного розпилювань і термоіонного синтезу. Проведено моделювання технічних процесів формування контактних систем і меза-структур для визначення систем, які розкривають перспективи використання в технології кремнієвих ЛПД і перемикаючих діодів міліметрового діапазону довжин хвиль. Сформульовано необхідні умови для створення високоякісних контактних систем. Розглянуто ділянки температурної та радіаційної стійкості бар'єрних структур. Показано, що найбільш придатними для створення кремнієвих лавинно-пролітних і перемикаючих діодних структур міліметрового діапазону довжин хвиль є контактні системи Si - Ti - TiB₂ - Au.

• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"