Boltovets N. S. Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes / N. S. Boltovets, N. M. Goncharuk, V. A Krivutsa, V. E Chaika, R. V. Konakova, V. V. Milenin, E. A Soloviev, M. B. Tagaev, D. I Voitsikhovskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 352-358. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.Експериментально вивчено шляхи створення омічних контактів метал-n+-Si з бар'єром Шоткі. Досліджено елементний, структурний і фазовий склади бар'єрних шарів контактної системи, а також межі поділу бар'єрний шар-напівпровідника, відповідно до методів і режимів формування та їх еволюції у процесі нагрівання та дії gamma-радіації 60Co. Розглянуто варіанти технології формування бар'єрних шарів паладію, титану, золота методами термічного та магнетронного розпилювань і термоіонного синтезу. Проведено моделювання технічних процесів формування контактних систем і меза-структур для визначення систем, які розкривають перспективи використання в технології кремнієвих ЛПД і перемикаючих діодів міліметрового діапазону довжин хвиль. Сформульовано необхідні умови для створення високоякісних контактних систем. Розглянуто ділянки температурної та радіаційної стійкості бар'єрних структур. Показано, що найбільш придатними для створення кремнієвих лавинно-пролітних і перемикаючих діодних структур міліметрового діапазону довжин хвиль є контактні системи Si - Ti - TiB2 - Au. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|