Sachenko A. V. Conversion efficiency in silicon solar cells with spatially non-uniform doping / A. V. Sachenko, N. A. Prima, A. P. Gorban // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 32-37. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Теоретично досліджено ефективність фотоперетворення дифузійних кремнієвих СЕ eta для випадку, коли під контактами фронтальної струмозбиральної сітки та в міжконтактних проміжках існують різні рівні легування. Показано, що при великих рівнях легування під контактами та порівняно невеликих поміж контактами, ефективність фотоперетворення зростає порівняно з випадком однорідного легування. Проаналізовано залежність eta від часів життя носіїв за Шоклі-Рідом-Холлом в базі та у фронтальному n+-шарі, а також від глибини залягання p-n-переходу та вигляду залежності концентрації електронів у n+-області N(x). Індекс рубрикатора НБУВ: З852.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|