Запропоновано кристалохімічну модель парофазної епітаксії плівок телуриду свинцю, яка припускає одночасне утворення однозарядних, двозарядних і електронейтральних дефектів Френкеля у катіонній підгратці. Показано, що незважаючи на велику концентрацію частково компенсованих дворазово заряджених дефектів, суттєву роль у зміні концентрації носіїв струму в плівках PbTe відіграють також одноразово заряджені пари Френкеля Pb_i⁺ і V_Pb^-. Результати числового розрахунку узгоджуються з наявними експериментальними даними залежності концентрації носіїв заряду в плівках від парціального тиску пари телуру та температури осадження з використанням методу гарячої стінки.

Предложена кристаллохимическая модель парофазной эпитаксии пленок теллурида свинца, предполагающая одновременное образование однозарядных, двухзарядних и электронейтральных дефектов Френкеля в катионной подрешетке. Показано, что несмотря на большую концентрацию частично компенсированных двукратно заряженных дефектов, существенную роль в изменении концентрации носителей тока в пленках РbТе играют также однократно заряженные пары Френкеля Pb_і⁺ и V_Pb^-. Результаты численного расчета согласуются с имеющимися экспериментальными данными зависимости концентрации носителей заряда в пленках от парциального давления пара теллура и температуры осаждения в методе горячей стенки.

The crystallochemical model of vapor-phase epitaxy of the lead telluride films has been proposed with the supposition about the simultaneous formation of singly charged, doubly charged and electroneutral Frenkel defects in the cationic sublattice. It has been shown that in spite of the large concentration of partly compensated doubly charged defects the singly charged Frenkel pairs Pb_і⁺ and V_Pb^- also play an essential role in change carrier concentration in PbTe films. The results of numerical calculation agree with the available experimental data of the dependence of charge carrier concentration in films on the partial pressure of tellurium vapor and the deposition temperature in the hot-wall method.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"