Вивчено взаємозв'язок між умовами отримання шихти, матеріалом тигля, режимами вирощування кристалів Cd_1-xZn_xTe та дефектністю їх структури і електрофізичними властивостями. Кристали вирощували з сировини, що була попередньо синтезована в кварцових ампулах, та синтезованої із елементів безпосередньо в ростовому апараті. Показано, що кращі значення електричного опору rho (до 10¹¹Ом ^. см) і чутливості до рентгенівського і gamma-випромінювання мають кристали, вирощені в тиглях з високочистого вуглеграфітового матеріалу із попередньо синтезованої сировини. Встановлено кореляцію між величиною rho кристалів та ступенем їх дефектності: зменшення густини ростових дислокацій в 10⁴ разів призводить до збільшення значення rho в 10⁷ раз. Густина дислокаційних ямок травлення закономірно зменшується при збільшенні чистоти вихідної сировини та оптимізації технології отримання кристалів.

• Галкін Сергій Миколайович (технічні науки)
• Лалаянц Олександр Іванович (технічні науки)
• Рибалка Ірина Анатоліївна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"