Роботу n-канальних польових МОН транзисторів досліджено за низьких температур. Визначено, що зарядовий стан дрібних пасток на межі поділу Si/SiO₂ зумовлює гістерезис вихідних характеристик транзистора у передкінковій області. Термічно активоване спустошення цих пасток призводить до різкого зменшення струму в підпороговому режимі роботи транзистора.

Исследована работа n-канальных МОП транзисторов при низких температурах. Было показано, что зарядовое состояние мелких ловушек на границе раздела Si/SiO₂ обусловливает гистерезис транзисторных характеристик в предкинковой области. Термоактивационное опустошение этих ловушек приводит к резкому уменьшению тока в подпороговом режиме работы транзистора.

Operation of n-channel MOSFET was studied at low temperatures. It has been shown that the charge state of shallow traps in the Si/SiO₂ interface is responsible for the hysteresis of transistor drain characteristics in the prekink region. Thermally activated emptying of these traps leads to the sharp decrease of the current in the subthreshold mode of transistor operation.

• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"