За допомогою аналітичних, структурних та електрофізичних методів вивчено механізм термічної деградації діодних структур із бар'єром Шоткі Au - Mo - TiB_x - GaAs. Показано, що в результаті короткочасного термічного відпалу при Т = 600 °C на протязі 60 с у атмосфері водню, в області просторового заряду GaAs, виникає центр типу EL5, який являє собою комплекс V_Ga + V_As, що підтверджується також даними фотолюмінесценції. Він обумовлює появу на початковій ділянці вольт-амперної характеристики надлишкових струмів витоку.

• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)
• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"