РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394806<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Sachenko A. V. 
Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers / A. V. Sachenko, A. P. Gorban, V. P. Kostylyov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 5-10. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.

Встановлено взаємозв'язок між процесами рекомбінації електронно-діркових пар та анігіляції екситонів в кремнії. Показано, що зазначена анігіляція може істотно впливати на процеси рекомбінації за достатньо великих концентрацій нерівноважних або рівноважних носіїв заряду. Встановлено, що в матеріалі n-типу існує кореляція між значеннями часу життя Шоклі - Ріда - Хола та константи квадратичної рекомбінації. Знайдена кореляція обумовлена тим, що в розглянутому випадку і час життя Шоклі - Ріда - Хола, і час безвипромінювальної анігіляції екситонів, відповідальний за квадратичну рекомбінацію, визначаються одним і тим же глибоким рівнем. У цьому випадку об'ємний час життя в кремнії n-типу повинен зменшуватися за рівнів легування, що перевищують 1016 см-3.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського