Sachenko A. V. Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers / A. V. Sachenko, A. P. Gorban, V. P. Kostylyov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 5-10. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.Встановлено взаємозв'язок між процесами рекомбінації електронно-діркових пар та анігіляції екситонів в кремнії. Показано, що зазначена анігіляція може істотно впливати на процеси рекомбінації за достатньо великих концентрацій нерівноважних або рівноважних носіїв заряду. Встановлено, що в матеріалі n-типу існує кореляція між значеннями часу життя Шоклі - Ріда - Хола та константи квадратичної рекомбінації. Знайдена кореляція обумовлена тим, що в розглянутому випадку і час життя Шоклі - Ріда - Хола, і час безвипромінювальної анігіляції екситонів, відповідальний за квадратичну рекомбінацію, визначаються одним і тим же глибоким рівнем. У цьому випадку об'ємний час життя в кремнії n-типу повинен зменшуватися за рівнів легування, що перевищують 1016 см-3. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|