Для зменшення розкиду дифузійної довжини та підвищення однорідності зразків мультикристалічного сонячного кремнію використано два різних види гетерних обробок. Показано, що в обох випадках спостерігається суттєве очищення від рекомбінаційно-активних домішок та підвищення однорідності спочатку неоднорідних за L_D зразками. Обговорено можливі механізми гомогенізації, що спостерігається.

Для уменьшения разброса диффузионной длины и повышения однородности образцов мультикристаллического солнечного кремния использовано два различных вида геттерных обработок. Показано, что в обоих случаях наблюдается существенная очистка от рекомбинационно-активных примесей и повышение однородности исходно неоднородных по L_D образцов. Обсуждены возможные механизмы наблюдаемой гомогенизации.

Two types of gettering treatments are considered and compared from the viewpoint of their usefulness to decrease L_D scatter over the wafer in multi-silicon photovoltaic structures. It was found that in both cases high degree of homogeneity in L_D distribution over the sample surface and cleaning of the samples from recombination active impurities are achieved. Possible mechanisms of the homogenization are briefly discussed.

• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Клюй Микола Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"