Вивчено спектральний розподіл фотопровідності вихідного та опроміненого gamma-квантами Со⁶⁰ дифосфіду цинку тетрагональної модифікації. Вважається, що смуга h nu = 1,65 eВ відповідає нагромадженням дефектів, присутніх у вихідних зразках. Дефекти типу складних вакансій, що виникають під час високотемпературної обробки (400 °С), формують смугу h nu = 1,55 - 2,14 eВ. Опромінення призводить до зменшення темнового струму та виникнення рівня h nu = 1,55 eВ акцепторного типу, що відпалюється в інтервалі 20 - 100 °С.

• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"