Venger E. F Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors / E. F Venger, V. V. Kolomoets, V. F. Machulin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 291-294. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Закономірності вимірів за Т <= 300 К тензоефектів у сильно деформованих зразках монокристалічного германію і кремнію, які не пояснюються характерними для області пружної деформації механізмами, пов'язано з явищем низькотемпературної пластичності. Металографічним методом підтверджено виникнення скупчень дислокацій, які утворюються у визначених областях кристалічної гратки під дією сильної одновісної деформації. Для пояснення механізму низькотемпературної пластичності кристалів з низькою рухливістю дислокацій запропоновано модель, яка пов'язує досліджене явище з генерацією дислокацій в областях міжфазних меж (інтерфейсу) визначених дефектів кристалічної гратки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|