![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394818<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Holiney R. Yu. Investigation of under-surface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, Ye. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 10-12. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Модуляційним методом електровідбиття досліджено порушені приповерхневі шари кремнієвих підкладок, які виникають під час різки зливка та після стандартної обробки (СО) пластин. Приповерхневі шари зтравлювалися в поліруючих протравлювачах HNO3:HF:H2O (3:1:1) та HNO3:HF:CH3COOH (3:1:1). Якість поверхні та приповерхневих областей визначалася за феноменологічним параметром розширення (ФПР). Було показано, що після СО створюється захоронений порушений шар біля 25 мкм. На різаному зразку ФПР монотонно зменшувався від 230 меВ до 115 меВ та після досягнення глибини 125 мкм не змінювався. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|