Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394823<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Zhuchenko Z. Ya. Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures / Z. Ya. Zhuchenko, G. G. Tarasov, S. R. Lavorik, Yu. I. Mazur, M. Ya. Valakh, H. Kissel, W. T. Masselink, U. Mueller, C. Walther // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 5-9. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Дослідження фотолюмінесценції (ФЛ) псевдоморфних модульовано легованих гетероструктур AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs з високою густиною електронів показують фундаментальні зміни в спектрі ФЛ у разі зростання густини збудження. Переважно високоенергетичний хвіст піка ФЛ зазнає принципової трансформації, спричиненої відштовхуванням особливості ферміївського краю (FES) та екситонних станів. Характер відштовхування критично залежить від густини збудження і температури. За низької температури вперше спостерігалось зародження FES у разі зростання густини збудження. Поява FES супроводжується утворенням крутого високоенергетичного краю і за інтенсивністю має місце набагато нижче прояву гібридизованого екситону, пов'язаного з підзоною п = 2. Спостерігається сильне екранування екситонного стану підзони п = 2 фотоносіями. Поведінка ФЛ у разі зростання густини збудження і температури поблизу краю Фермі пояснюється сильним впливом густини носіїв на прояв FES і приписується властивостям двовимірного електронного газу, що ще не досліджено теоретично. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.249
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|