Park C. W. Metal-dielectric black matrix for display devices / C. W. Park, J. B. Lee, Y. R. Do, P. O. Shepeliavyi, K. Michailovs`ka, I. Indutnyy, O. Kudryavtsev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 496-499. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Описано технологію осадження металодіелектричного покриття для виробництва світлопоглинальної чорної матриці на екрані кольорових електронно-променевих трубок. Це покриття створено термовакуумним випаровуванням суміші SiO-Cr. Під час її нагрівання на підкладці утворюється неоднорідна за своїм складом структура SiOx-Cr. Показано, що покриття, виготовлене таким чином, є ахроматичним і має низьку відбивальну здатність (~ 1%) з боку прозорого екрану. Коефіцієнт дифузного розсіювання світла такого покриття не перевищує 0,1 % у спектральній області 400 - 700 нм. Доведено, що на основі такого покриття можна зробити чорну матрицю з використанням методів прямої або оберненої фотолітографії з органічним або неорганічним фоторезистом. Кольорові електронно-променеві трубки з такими металодіелектричними чорними матрицями на екранах мають підвищений контраст зображення в порівнянні з колоїдно-графітовими. Описана технология осаждения металлодиэлектрического покрытия для производства светопоглощающей черной матрицы на экранах цветных электронно-лучевых трубок. Это покрытие изготовлено термовакуумным испарением смеси SiO-Cr. При ее нагревании на подложке образуется неоднородная по своему составу структура SiOx-Cr. Показано, что покрытие, изготовленное таким способом, является ахроматическим и имеет низкую отражательную способность (~ 1 %) со стороны прозрачного экрана. Коэффициент диффузного рассеяния света у такого покрытия не превосходит 0,1% в спектральной области 400 - 700 нм. Показано, что на основе такого покрытия можно изготовить черную матрицу, используя методы прямой и обратной фотолитографии с органическим и неорганическим фоторезистом. Цветные электронно-лучевые трубки с такими металлодиэлектрическими черными матрицами на экранах имеют повышенный контраст изображения по сравнению с коллоидно-графитовыми. Technology of metal-dielectric coating deposition for manufacturing a light-absorbing black matrix on a panel of color cathode-ray tubes is described. The coating is prepared using thermo-vacuum evaporation of SiO-Cr mixture. That yields in a thin-layer non-uniform (by its composition) structure SiOx-Cr. It is shown that the coating prepared in this way is achromatic and has low reflectivity (~ 1 %) from the side of a transparent panel. The index of diffuse light scattering measured for such metal-dielectric coating does not exceed 0.1% in the spectral range of 400 - 700 nm. It is shown that black matrix based on the coating SiOx-Cr can be produced using the methods of direct or reverse photolithography, with organic or non-organic photoresist. Color CRT with these metal-dielectric black matrixes on their panels have increased image contrast as compared with the colloid-graphite ones. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.132.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
 Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|