Ivasiv Z. F. Noise spectra and dark current investigations in n+ - p type Hg1 - xCdxTe (x ekvivalent 0,22) photodiodes / Z. F. Ivasiv, F. F. Sizov, V. V. Tetyorkin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 21-25. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.У роботі досліджено темновий струм та спектри шуму в фотодіодах Hg1 - xCdxTe (x equivalently 0,22) при нульовому та малих зворотніх зміщеннях. Фотодіоди виготовлені методом імплантації бору в плівки, вирощені методом рідкофазної епітаксії. Доведено, що 1/f шум корелює з тунельним струмом через глибокі дефектні стани в забороненій зоні при малих зворотніх зміщеннях U <= 0,1 B. У фотодіодах, в яких переважає тунельний струм, 1/f шум спостерігається аж до 104 Гц. Зменшення тунельного струму приводить до зниження 1/f шуму. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|