![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394830<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Shwarts Yu. M. Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures / Yu. M. Shwarts, A. V. Kondrachuk, M. M. Shwarts, L. I. Shpinar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 400-405. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Досліджено вольт-амперні та термометричні характеристики сильно легованих кремнієвих структур р-типу провідності за гелієвих температур. У досліджених структурах реалізується стрибковий механізм провідності зі змінною довжиною стрибка. Завдяки отриманим параметрам неомічної моттовської провідності та їх залежностям від температури й електричного поля з'ясовано особливості термометричних характеристик структур. Доведено, що величина та розташування максимуму термочутливості залежать від ступеня неомічності стрибкової провідності та визначаються густиною станів поблизу рівня Фермі. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В379.271.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|