РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394830<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Shwarts Yu. M. 
Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures / Yu. M. Shwarts, A. V. Kondrachuk, M. M. Shwarts, L. I. Shpinar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 400-405. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Досліджено вольт-амперні та термометричні характеристики сильно легованих кремнієвих структур р-типу провідності за гелієвих температур. У досліджених структурах реалізується стрибковий механізм провідності зі змінною довжиною стрибка. Завдяки отриманим параметрам неомічної моттовської провідності та їх залежностям від температури й електричного поля з'ясовано особливості термометричних характеристик структур. Доведено, що величина та розташування максимуму термочутливості залежать від ступеня неомічності стрибкової провідності та визначаються густиною станів поблизу рівня Фермі.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + В379.271.51

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського