Методами фотолюмінесценції (ФЛ) та комбінаційного розсіювання світла досліджено псевдоморфні гетероструктури Al_xGa_1-xAs/In_yGa_1-yAs/GaAs з напруженим шаром. Встановлено кореляцію між змінами форми ліній ФЛ і модифікацією спектрів комбінаційного розсіювання, коли ширина квантової ями менша від значення критичної товщини шару, що складає 20 нм при y = 0,1. Особливість ФЛ, спостережувана для квантової ями InGaAs шириною 20 нм як екстремально вузький екситоноподібний пік із напівшириною 1,5 меВ за низької температури (Т = 6 К), трансформується у широку смугу із напівшириною 16 меВ, коли ширина квантової ями сягає значення близько 12 нм. Розширення форми лінії ФЛ супроводжується змінами у спектрах комбінаційного розсіювання світла. Поява нової лінії у спектральній позиції nu = 160 см^-1 приписується поздовжній акустичній моді шару In_yGa_1-yAs, індукованій домішками. Спостережувані в оптичних спектрах зміни пов'язані із генерацією дефектів у області докритичних ширин.

• Жученко Зоряна Ярославівна (фізико-математичні науки)
• Тарасов Георгій Григорович (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"