Zhuchenko Z.Ya. Optical characterization of pseudomorphic heterostructures / Z.Ya. Zhuchenko, G. G. Tarasov, S. R. Lavorik, Yu. I. Mazur, M. Ya. Valakh, H. Kissel, W. T. Masselink, U. Mueller, C. Walther // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 103-108. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.Методами фотолюмінесценції (ФЛ) та комбінаційного розсіювання світла досліджено псевдоморфні гетероструктури AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs з напруженим шаром. Встановлено кореляцію між змінами форми ліній ФЛ і модифікацією спектрів комбінаційного розсіювання, коли ширина квантової ями менша від значення критичної товщини шару, що складає 20 нм при y = 0,1. Особливість ФЛ, спостережувана для квантової ями InGaAs шириною 20 нм як екстремально вузький екситоноподібний пік із напівшириною 1,5 меВ за низької температури (Т = 6 К), трансформується у широку смугу із напівшириною 16 меВ, коли ширина квантової ями сягає значення близько 12 нм. Розширення форми лінії ФЛ супроводжується змінами у спектрах комбінаційного розсіювання світла. Поява нової лінії у спектральній позиції nu = 160 см-1 приписується поздовжній акустичній моді шару InyGa1-yAs, індукованій домішками. Спостережувані в оптичних спектрах зміни пов'язані із генерацією дефектів у області докритичних ширин. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|