Stronski A. Photoinduced structural changes in As100 - хSх layers / A. Stronski, M. Vlcek, A. Sklenar // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 394-399. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Досліджено фотоіндуковані структурні зміни в шарах As100 - хSх. Оптичні сталі для свіжонапилених, опромінених і відпалених плівок отримано з вимірювань пропускання в спектральній області 400 - 2500 нм. Енергетичні залежності показника заломлення n описано одноосциляторною моделлю і використано для визначення її параметрів. Доведено, що опромінення та відпал призводять до зростання значень n в усьому дослідженому спектральному інтервалі. Для композиційних залежностей параметрів одноосциляторної моделі Ed (дисперсійна енергія), epsilon (0) (оптична діелектрична стала) характерна наявність максимуму за умов стехіометричного складу As40S60 і можливо слабкого максимуму біля As28,6S71,4. Зміну параметрів одноосциляторної моделі, стимульовану зовнішніми чинниками, обумовлено фото- і термоіндукованими структурними змінами, які підтверджено дослідженнями комбінаційного розсіювання. Дані фотоіндуковані структурні зміни забезпечують високу селективність шарів As - S у різних тротравлювачах. Залежність інтенсивності смуг спектрів комбінаційного розсіювання, що відповідають молекулярним фрагментам, які містять гомополярні зв'язки, від експозиції описується експоненціальним спадом, що корелює з аналогічною залежністю швидкості травлення шарів As100 - хSх. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.34
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|