Проведено всебічну електричну характеризацію SiGe/Si гетероструктур в широкій температурній області (10 - 270 К). Було досліджено чотири структури, які виготовлено іонною імплантацією Ge⁺ за температури підкладки (кімнатна температура, 150 °С, 450 °С, та 600 °С). Із вимірювань діодних вольт-амперних характеристик, а також термостимульованої ємності та струмів визначались наявність і параметри мілких рівнів в залежності від температури підкладки. Зразки, які були імплантовані за 450 °С проявили найкращі діодні характеристики у порівнянні із зразками імплантованими за кімнатної температури та 150 °С. Післяімплантаційні механічні напруги були досліджені за допомогою Раманівської спектроскопії. Вперше для дослідження подібних систем було застосовано метод термостимульованого звільнення заряду, що дало змогу дослідити напругу в кремнієвому шарі після формування шару SiGe.

• Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"