Новий безвакуумний метод відпалу застосовано для покращання електрофізичних параметрів електролюмінесцентних структур на базі полікристалічних плівок ZnS:Cu. Плівки наносились на різнотипні підкладки (скло, BaTiO₃, кремній) методом електронно-променевого напилення. Відпал здійснювався за температури 850 °С. У процесі відпалу деякі структури додатково леговано Ga. Методами рентгенівської дифракції та атомно-силової мікроскопії досліджено структуру та наноморфологію поверхні плівок. Показано, що ініційовані відпалом процеси рекристалізації призводять до структурного впорядкування без зміни фазового складу плівок, що зумовлює збільшення яскравості фото- й електролюмінесценції у десятки разів, зниження порогової напруги до 10 В та підвищення деградаційної стійкості на кілька порядків.

Новый безвакуумный метод отжига был применен для улучшения электрофизических параметров электролюминесцентных структур на основе поликристаллических пленок ZnS:Cu. Пленки нанесены на разнотипные подложки (стекло, BaTiО₃, кремний) методом електронно-лучевого напыления. Отжиг проводился при температуре 850 °С. В процессе отжига для некоторых структур проводилось дополнительное легирование Ga. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследована структура и наноморфология поверхности пленок. Показано, что вызванные отжигом процессы рекристаллизации приводят к структурному упорядочению без изменения фазового состава пленок. Это приводит к увеличению яркости фото- и электролюминесценции в десятки раз, снижению порогового напряжения до 10 В и повышению деградационной стойкости на несколько порядков.

X-ray and atomic force microscopy techniques were used for investigations of crystalline structure and nano-morphology of ZnS:Cu thin films. The films were deposited by electron beam evaporation on substrates of various types (glass, BaTiO₃, silicon).New non-vacuum method of annealing was applied for improvement electro-physical parameters of ZnS:Cu based thin film electroluminescent devices. The annealing was carried out at the temperature of 850 °C. Ga co-doping was applied for the same structures in the course of the annealing process. It was shown that recrystallization process at annealing leads to improvement of ZnS:Cu films structural perfection without changes of crystal structure. This improvement provides tenfold increase of photo- and electroluminescence brightness and decrease of threshold voltage down to 10 V, as well as enhancement of device stability against degradation.

• Хомченко Вікторія Сергіївна (фізико-математичні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Прокопенко Ігор Вікторович (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"