Розглянуто оптимізацію характеристик сонячних елементів на базі Si та GaAs. Використано нові оптимізовані значення електронних властивостей зазначених матеріалів, а також новітні досягнення в розробці структури шарів та обробці їх поверхонь. Порівняння характеристик елементів із цих двох матеріалів свідчить про переваги приладів на базі GaAs. Досліджено вплив концентрації сонячної енергії (1 - 100 санз) на роботу елементів. Зроблено висновок, що збільшення концентрації енергії покращує енергетичний коефіцієнт корисної дії. Одержано оптимальні значення фізичних параметрів, які забезпечують струми короткого замикання та напруги холостого ходу поряд з високою ефективністю перетворення.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"