Шляхом моделювання за методом молекулярної динаміки (МД), який базується на емпіричному наближенні потенціалу, одержано детальну інформацію про хімічне упорядкування та структурний ближній порядок у стехіометричному аморфному карбіді кремнію (a-SiC). Рекурсійні розрахунки зонної структури, яка відповідає аморфним конфігураціям, одержаним методом МД моделювання, дозволили з'ясувати механізм впливу гомеополярних зв'язків, триразово (T3) і п'ятиразово (Т5) координованих дефектів, сильно упорядкованих чотириразово координованих вузлів (T4) та атомів, які є найближчими сусідами цих дефектів, на розподіл електронних станів. Встановлено, що електронні стани в середній частині щілини можуть бути пов'язані зі згаданими дефектами за виключенням антивузлових дефектів (подібних до атома або уніполярної сполуки). Розглянуто проблему хімічного упорядкування в стехіометричному сплаві кремнію з вуглецем. На відміну від кристалічного SiC, в а-SiC резонансні стани у вершині валентної зони, асоційовані з гомоядерними Si-Si зв'язками, розщеплюються у випадку низькосиметричного оточення, що спричиняє додаткові розщеплення станів поблизу дна зонної щілини. Внаслідок цього зменшення ступеня хімічного упорядкування в аморфному матеріалі супроводжується звуженням його зонної щілини. Запропонована зонна модель a-SiC достатньо добре узгоджується з доступними експериментальними результатами щодо електронного розподілу в цьому сплаві.

• Іващенко Володимир Іванович (1956–) (фізико-математичні науки)
• Шевченко Володимир Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"