Glinchuk K. D. Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 274-277. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.Проаналізовано спектри екситонної люмінесценції за температури 4,2 K напівізолюючих кристалів GaAs з різними концентраціями мілких акцепторів і донорів. Це дозволило знайти коефіцієнти захоплення вільних екситонів мілкими нейтральними акцепторами [<$E b sub {A sup 0 X} ~=~(4~symbol С~2)~cdot~10 sup -8 roman {см sup 3 "/" c}>] і донорами [<$E b sub {D sup 0 X} ~=~(1,5~symbol С~0,8)~cdot~10 sup -7 roman {см sup 3 "/" c}>] за температури рідкого гелію, а також оцінити коефіцієнти захоплення вільних екситонів мілкими іонізованими донорами (<$E b sub {D sup + X} ~>>>>~b sub {D sup 0 X}>). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|