Методами рентгенівської топографії за Лангом, двокристальної рентгенівської спектрометрії та селективного хімічного травлення досліджено процеси дефектоутворення в кремнієвих епітаксійних структурах, вирощених на n<^>+-підкладках Si, оброблених за 12 і 14 класами. Знайдено кореляцію між величиною зворотного струму термогенераційної природи, часом життя неосновних носіїв заряду <$E tau sub p > в n-шарі та концентрацією структурних дефектів (структурною досконалістю n<^>+-підкладки). Запропоновано модель деформованого стану багатошарової приладової структури, в тому числі з омічними та контактними шарами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"