Досліджено зразки двобар'єрних резонансно-тунельних діодів (ДБ-РТД) на основі гетероструктур GaN/AlGaN, вирощених за допомогою плазмової молекулярно-променевої епітаксії. За допомогою методів тунельної та ємнісної спектроскопії проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та вольт-фарадних залежностей удіапазоні температур від 4,2 K до 300 K. Знайдено, що вимірювані характеристики мають складний нелінійний характер поведінки та розриви ВАХ. Це можна пояснити наявністю поляризаційних полів та інтерфейсних дефектів. Ці ефекти сильно впливають на вигляд потенціального профілю ДБ-РТД структур. Проведено числове моделювання даних структур з використанням математичної моделі, що базується на нерівноважних функціях Гріна в реальному часі. На підставі порівняльного аналізу експериментальних і теоретично розрахованих величин показано, що струмову нестабільність та нелінійність характеристик нітридних ДБ-РТД можна пов'язати з захопленням і утриманням електронів у межових та дислокаційних станах гетероструктур.

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Наумов Андрій Вадимович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"