Balovsyak S. V. Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection / S. V. Balovsyak, I. M. Fodchuk, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 41-46. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.За допомогою методів інтегральних і диференціальних кривих повного зовнішнього відбивання рентгенівських променів досліджено серію зразків GaAs і SiO2 зі спеціально підготовленим одно- та двомірним рельєфом поверхні. З урахуванням даних, одержаних за допомогою методу атомно-силової мікроскопії, розв'язано пряму й обернену задачі: розраховано теоретичні криві повного зовнішнього відбивання та відновлено параметри, що характеризують рельєф поверхні зразків. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|