Bryksa V. P. Diluted magnetic A1-xMnxB semiconductors / V. P. Bryksa, G. G. Tarasov, W. T. Masselink, W. Nolting, Yu. I. Mazur, G. J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 119-128. - Бібліогр.: 42 назв. - англ.Розвинуто нову модель розведених магнітних напівпровідників A1-xMnxB з металічним типом провідності. Складні процеси розсіювання, що зумовлені хаотичним розподілом іонів Mn, досліджено за допомогою методу когерентного потенціалу. В цьому разі електронне розсіювання спіна електрона на локалізованому магнітному моменті іона марганцю враховується точно в наближенні спін-поляронної границі гамільтоніана Вонсовського. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|