Досліджено вольт-амперні характеристики поверхнево-бар'єрних структур <$E {roman Au~-~roman TiB} sub x~-~n - n sup + - roman GaAs> і <$E {roman Au~-~roman TiB} sub x ~-~n - roman SiC~roman 6Н>. Проведено НВЧ обробку структур (частота 2,45 ГГц, питома потужність 1,5 <$E roman Вт "/" см sup 2> в інтервалі часу 0 - 500 с. Для цих структур виміряно залежності висоти бар'єру Шотткі та фактора неідеальності від тривалості НВЧ опромінювання. Показано, що НВЧ обробки тривалістю до 20 с не погіршують основні параметри досліджуваних структур, а за тривалості обробки 0,5 - 10 с можуть навіть поліпшити їх.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"