Теоретично вивчено вплив неоднорідного розподілу концентрації легуючих домішок в діодній структурі з p - n-переходом на термометричну характеристику діодного сенсора температури. Проведено аналітичний розрахунок вольт-амперної характеристики, яка визначає термометричну характеристику температурного сенсора. Для розрахунків використано модель p - n-переходу з одновимірним експоненціальним розподілом домішок в емітерній області діода за однорідного розподілу домішок у базі та домінуючим дифузійним механізмом транспорту неосновних носіїв у діодній структурі. Показано, що залежно від величини градієнта концентрації домішок обидві складові дифузійного струму неосновних носіїв, електронна та діркова компоненти струму можуть давати порівняний внесок у формування вольт-амперної характристики. Цим розглянута модель p - n-переходу істотно відрізняється від моделі ступінчастого (квазіоднорідного) розподілу домішок в асиметричному переході, для якої вольт-амперна характеристика повністю визначається односторонньою інжекцією неосновних носіїв у менш леговану область бази діода. Величина ефективного зсуву термометричної характеристики в температурному еквіваленті складає для кремнієвих сенсорів <$E symbol Ы 20> K. Досліджено залежності граничної температури <$E T sub m>, що обмежує протяжність термометричної характеристики в область високих температур, від величини робочого струму сенсора, концентрації домішок в базі та глибини залягання p - n-переходу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"