За допомогою методів рентгенакустичного резонансу та внутрішнього тертя досліджено структуру монокристалів кремнію, вирощеного з використанням методу Чохральского (Cz-Si), до і після опромінення високоенергетичними електронами та гамма-квантами (E ~ 18 МеВ). Показано, що основні типи дефектів, які утворились після опромінення, мають дислокаційну природу, але стабільність цих утворень різна. Виявлено, що релаксація радіаційних дефектів у Cz-Si в процесі старіння за кімнатних температур (більше 10 000 годин) відбувається на фоні розпаду пересиченого твердого розчину кисню в кремнії, що супроводжується виникненням значних внутрішніх напруг.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"