Litvinov V. L. Evolution of structural and electrophysical parameters of Ni/SiC contacts at rapid thermal annealing / V. L. Litvinov, K. D. Demakov, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, R. V. Konakova, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 457-464. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.За допомогою методів рентгенофазового аналізу, Оже-електронної спектроскопії та атомно-силової мікроскопії досліджено структурно-фазові перетворення в системі Ni/n-21R-SiC, стимульовані швидкими термічними відпалами у вакуумі (<$E 10 sup - 2> Па) в інтервалі температур 450 - 1 100 <$E symbol Р >С. Установлено, що трансформацію вольтамперних характеристик контактів від бар'єрних до омічних зумовлено появою локальних ділянок контакту з різною висотою бар'єру, в тому числі областей з омічною провідністю. Формування вказаних неоднорідностей обумовлено інтенсивною гетеродифузією компонентів системи, утворенням і рекристалізацією фаз силіцидів нікелю різної стехіометрії, погіршенням планарної однорідності гетерограниці та плівки Ni. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.204.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|