Досліджено бар'єрні й омічні контакти, які застосовують під час створення НВЧ приладів на основі арсеніду галію. Показано, що бар'єрні контакти Au - Mo - TiBx - n-GaAs мають вищу термостійкість, ніж Au - Ti - n-GaAs. Це зумовлено істотним уповільненням зернограничної дифузії в контактах Au - Mo - TiBx внаслідок застосування як бар'єрного матеріалу аморфних шарів TiBx, фазовий перехід у яких відбувається за температури вище 1 000 <$E symbol Р>C. Установлено, що застосування TiBx як антидифузійного шару в омічних контактах Au - TiBx - AuGe - n-GaAs до діодів Ганна збільшує їх довговічність у порівнянні з традиційним омічним контактом Au - AuGe - n-GaAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"