Відзначено, що інтенсивну антистоксову фотолюмінесценцію спостережено за низьких температур у структурах CdSe/ZnSe з одиночною вставкою CdSe номінальної товщини 1,5 моношару. Залежність інтенсивності антистоксової фотолюмінесценції квантових точок CdSe від густини збуджуючого випромінювання була близькою до квадратичної. Механізм антистоксової фотолюмінесценції пояснено на основі нелінійного двоступінчатого двофотонного процесу через глибокі дефектні стани, які містять катіонні вакансії та локалізовані в околі квантових точок. Поява антистоксової фотолюмінесценції свідчить про вплив оточення на властивості квантових точок.

• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"