Виконано моделювання поверхневих шарів Si (001) з використанням методу молекулярної динаміки (МД). У застосованому модифікованому алгоритмі МД величина потенціалу коригується на кожному кроці обчислень. Поправки включають повторну гібридизацію хімічних зв'язків у ході релаксації. Виявлено, що високотемпературна релаксація поверхневих шарів кремнію призводить до утворення квазірозупорядкованої фази (КРФ). КРФ розповсюджується з першого шару аж до четвертого - п'ятого. У всіх цих шарах утворюються димери. Їх характеристики (розподіл за довжиною зв'язків та орієнтацією) змінюються від шару до шару. Вони суттєво відрізняються від димерів, що утворюються за низьких температур.

• Моісеєнко Наталя Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Соловйов Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"