Швидкості розсіювання всередині найбільш низької підзони квантової ями розраховано для випадку, коли розсіювання відбувається на шорсткому інтерфейсі, а електричне поле прикладено перпендикулярно до площини шару. Виявлено, що швидкість розсіювання на шорсткому інтерфейсі збільшується зі зростанням напруженості електричного поля. Це поле різко змінює швидкості розсіювання на шорсткостях інтерфейсу в широких квантових ямах у порівнянні зі швидкостями розсіювання в нульовому полі.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"