Показано, що процеси народження, випромінювання та затухання основного та збуджених екситонних станів у шаруватих кристалах n-InSe і p-GaSe відбуваються за участю як прямого (фотон <$E symbol О> екситон <$E symbol О> фотон, за <$E bold k~=~0>), так і непрямого вертикального фотопереходу (фотон <$E symbol С> фонон <$E symbol О> екситон <$E symbol О> фотон <$E symbol С> фонон, за <$E bold k ~symbol <64>~0>). Для екситонного стану n = 1 обидва фотопереходи є сумісними. Для збуджених екситонних станів вони несумісні; тому інтегральна інтенсивність смуг поглинання збуджених екситонних станів <$E K sub n> перевищує величину <$E K sup 0 "/" n sup 3> (де <$E K sup 0> - класичне значення для екситонної смуги поглинання n = 1) і зростає за умов збільшення температури. Показано, що наявність двовимірного газу носіїв заряду (електронів/дірок, локалізованих у квантових ямах), вироджених з екситонами в імпульсному просторі, призводить до пригноблення сили осцилятора екситонного переходу як для основного, так і для збуджених станів. Експериментально показано, що збільшення температури спричиняє перерозподіл дірок до станів з більшою енергією. Це виявляє себе в послідовному (від основного до збуджених станів) пригнобленні та відродженні інтегральних характеристик екситонних смуг поглинання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В379.226

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"