Досліджено спектри екситонного поглинання світла в кристалах InSe різної товщини, чистих і легованих домішками групи заліза, за температури від 4,5 до 100 K. Показано, що, одночасно з традиційним прямим фотопереходом (фотон <$E symbol О> екситон <$E symbol О> фотон) для <$E k~=~0>, народження екситону та його анігіляція з випромінюванням фотона відбувається також завдяки непрямому вертикальному фотопереходу (фотон <$E symbol С> фонон <$E symbol О> екситон <$E symbol О> фотон <$E symbol С> фонон) для <$E k~symbol <64>~0>. Встановлено, що для екситонного стану <$E n~=~1> прямий і непрямий вертикальний фотопереходи є сумісними. Для збуджених екситонних станів ці переходи не є сумісними; тому інтегральна інтенсивність смуг поглинання збуджених екситонних станів <$E K sub n> перевищує величину <$E K sup 0 "/" n sup 3> (де <$E K sup 0> - класичне значення для екситонної смуги поглинання <$E n~=~1>) і збільшується з ростом температури. Для екситонного стану <$E n~=~1> розглянуто випадки симетричного й асиметричного (тільки з поглинанням фонона) непрямого вертикального фотопереходу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"