![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394993<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Vlaskina S. I. Mechanism of 6H-3C transformation in SiC / S. I. Vlaskina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 152-155. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.Сильно леговані азотом монокристали 6H-SiC перетворено на 3C-SiC. Процес перетворення у 3C-SiC був повністю завершеним, коли 6H-SiC відпалювалися у вакуумі за присутності парів кремнію протягом однієї години за температури 2180 K або 4-х годин за температури 2080 K. Вивчено механізм твердотільного перетворення. З вимірів ефекту Хола та спектрів ЕПР розраховано концентрації некомпенсованої донорної та азотної домішок і показано зменшення концентрації азоту у перетворених кристалах 3C-SiC. Експериментальні дані свідчать про появу нових дефектів - донорного й акцепторного типу, які перетворюють домішку азоту на електрично й оптично неактивну. Ці дефекти супроводжують процес перетворення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|