Glinchuk K. D. On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 441-443. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.Проведено ретельний аналіз близькокрайового випромінювання кристалів і плівок теллурида кадмію, що спостерігається за температури 300 K. Показано, що: відмінність положення піка близькокрайової люмінесценції <$E h nu sub m> у кристалах і плівках CdTe, що спостерігається за температури 300 К, і зсув <$E h nu sub m> в область низьких енергій під час зростання інтенсивності збудження не можна пояснити припущенням, що вільні екситони домінують в утворенні розглянутого випромінювання. Отже, природа близькокрайового випромінювання CdTe за температури 300 К не пов'язана з вільними екситонами, як вважалось раніше, і тому виникає потреба в її подальшому вивченні. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|