Konakova R. V. Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx - GaAs system / R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovskyi, A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, L. A. Matveeva, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 298-300. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Експериментально виявлено стимульоване НВЧ опроміненням (частота 2,45 ГГц, питома потужність 1,5 Вт/см<^>2) упорядкування латеральної неоднорідності плівки TiBx ~ 50 нм завтовшки, одержаної магнетронним розпилюванням з пресованої мішені на підкладку <<100>> GaAs. Це корелює з поліпшенням параметрів діодних структур TiBx - n-n<^>+-GaAs після аналогічної НВЧ-обробки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|