Gritsenko M. I. Passivation of silicon surface by ultrathin dielectric film in M/Si/nematic/ITO structures / M. I. Gritsenko, S. I. Kucheev, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 154-156. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.Наведено дані експериментальних спостережень пасивації поверхні кремнію надтонкими діелектричними плівками в структурі Al/Si/нематик/Indium Tin Oxide(ITO), яку виготовлено на базі зразків кремнію з високою провідністю n-типу. Показано, що ефект пасивації має місце, коли до структури прикладено постійну напругу з позитивною полярністю на кремнії. Виявлено, що поверхня пасивується діелектричною плівкою, яка змінює орієнтацію молекул рідкого кристала 5CB. Індекс рубрикатора НБУВ: К663.7 + В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|