Shwarts Yu. M. Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors / Yu. M. Shwarts, V. N. Sokolov, M. M. Shwarts, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 233-237. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Розглянута теоретична модель механізмів струмопереносу дозволяє пояснити експериментальну поведінку диференціальних характеристик (фактор ідеальності, диференціальний опір) в кремнієвому діодному сенсорі температури до та після опромінення. Немонотонні струмові залежності фактора ідеальності, що спостерігаються, добре описуються впливом генераційно-рекомбінаційної та дрейфової компонент струму на дифузійний струм неосновних носіїв. Розвинута модель дозволила визначити характеристичні часи життя неосновних носіїв у базі й області просторового заряду в сильно легованій діодній структурі. На підставі дослідження електрофізичних і метрологічних характеристик діодного сенсора температури визначено робочий режим, за умов якого вплив радіації на термометричні характеристики мінімальний. Індекс рубрикатора НБУВ: З32-23
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|