РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395033<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Shwarts Yu. M. 
Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors / Yu. M. Shwarts, V. N. Sokolov, M. M. Shwarts, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 233-237. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Розглянута теоретична модель механізмів струмопереносу дозволяє пояснити експериментальну поведінку диференціальних характеристик (фактор ідеальності, диференціальний опір) в кремнієвому діодному сенсорі температури до та після опромінення. Немонотонні струмові залежності фактора ідеальності, що спостерігаються, добре описуються впливом генераційно-рекомбінаційної та дрейфової компонент струму на дифузійний струм неосновних носіїв. Розвинута модель дозволила визначити характеристичні часи життя неосновних носіїв у базі й області просторового заряду в сильно легованій діодній структурі. На підставі дослідження електрофізичних і метрологічних характеристик діодного сенсора температури визначено робочий режим, за умов якого вплив радіації на термометричні характеристики мінімальний.


Індекс рубрикатора НБУВ: З32-23

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського