Тонкі плівки CdTe вирощено на різних підкладках: BaF2 (111), полірований Si (100), SiO2, монокристалічний CdTe (110) та епітаксійних плівках HgxCd1-xTe за допомогою методу гарячої стінки. Розроблені температурні параметри технологічного процесу формування плівок дозволяють проводити процес напилення зі швидкістю близько 0,03 мкм/хв. Досліджено вольт-амперні характеристики та спектр пропускання даних плівок на різних підкладках. Проведено вивчення структури шарів CdTe за допомогою рентгенівської дифракції.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.03-18 + В379.226

Рубрики:

Металізація (гарячі способи покриття металів)

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна (фізико-математичні науки)
• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"