Досліджено електрофізичні властивості структур SiO2 - GaAs та Au - Ti - SiO2 - GaAs, які застосовують у технологічному процесі створення ліній передачі для НВЧ інтегральних схем. Структури SiO2 - GaAs сформовані різними способами: окисненням моносилану в кисні, високотемпературним розкладом тетраетоксисилану, високочастотним катодним розпилюванням кварцу в плазмі аргону та електронно-променевим випаровуванням кварцу у вакуумі. Кращі властивості були у плівок SiO2, одержаних методом окиснення моносилану й електронно-променевим випаровуванням кварцу. Показано, що в структурах Au - Ti - SiO2 - GaAs відбувається трансформація шарової структури з утворенням переходу TiOx - SiO2 та проникненням атомів золота на всю товщину адгезійного шару. НВЧ генераторні модулі, виготовлені з використанням структур Au - Ti - SiO2 - GaAs (Si), забезпечують вихідну потужність 10 - 60 мВт у 8-мм діапазоні довжин хвиль.

• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"