Розглянуто результати досліджень фізико-хімічних та електрофізичних параметрів діодних структур з бар'єром Шотткі, сформованих аморфними фазами TiBx і ZrBx на масивному n-Si 6H(15R) і епітаксіальному <$E n - n sup + roman ~{Si~4H}>. Показано термостійкість параметрів бар'єра Шотткі - висоти бар'єра <$E phi sub roman в> і фактора ідеальності n після швидкого термічного відпалу (ШТВ) за температури T = 800 <$E symbol Р>C протягом 60 с у вакуумі, що обумовлено термостабільністю межі поділу фаз TiBx(ZrBx) - SiC, яка не змінюється після ШТВ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"