Boltovets N. S. SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V Milenin, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, S. I. Vlaskina, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 60-62. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Розглянуто результати досліджень фізико-хімічних та електрофізичних параметрів діодних структур з бар'єром Шотткі, сформованих аморфними фазами TiBx і ZrBx на масивному n-Si 6H(15R) і епітаксіальному <$E n - n sup + roman ~{Si~4H}>. Показано термостійкість параметрів бар'єра Шотткі - висоти бар'єра <$E phi sub roman в> і фактора ідеальності n після швидкого термічного відпалу (ШТВ) за температури T = 800 <$E symbol Р>C протягом 60 с у вакуумі, що обумовлено термостабільністю межі поділу фаз TiBx(ZrBx) - SiC, яка не змінюється після ШТВ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|