Зазначено, що карбід кремнію широко використовується як матеріал для виробництва жовтих, червоних, зелених світлодіодів та оптоелектронних приладів (індикаторів, екранів). Технологію виготовлення світлодіодів на базі карбіду кремнію досліджено для покращання їх експлуатаційних характеристик. Вивчено вплив обробки поверхні (травленням, відпалом), методи формування p - n-переходів і контактів, а також властивості світлодіодів. Світловипромінювальні прилади використовуються як джерела світла для оптоволоконних ліній зв'язку. Для виготовлення ефективних зелених світлодіодів використано імплантацію іонів <$E roman Al sup +> у 6H-SiC. Яскравість імплантованого іонами p - n-переходу виявилась на два порядки вищою, ніж у дифузійного, та її величина сягала <$E 2000~-~10000~roman {кд "/" м} sup 2}> за струму 0,5 мА, що проходить крізь площу <$E 50~times~50> мкм, і напруги <$E 2,6~symbol С~0,2> В. Іонно-імплантовані структури виявили високу стабільність випромінювання в області температур 77 - 600 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: З861.1-04

Рубрики:

Волоконна оптика

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"