Досліджено поперечну фотоерс, що генерується в напівпровідникових структурах під час їх освітлення модульованим випромінюванням. Визначено, що складна форма спектральних характеристик ерс, виміряних у зразках гетероструктури Ge-GaAs і контакта Шоткі NbN-GaAs, зумовлена взаємодією фотострумів, що протікають в об'ємі та поблизу межі поділу структур. Додаткове немодульоване підсвічування досліджуваних зразків, проведене під час вимірювання спектральних характеристик фотоерс, змінює характер взаємодії фотострумів, що відбивається на формі цих характеристик. Аналіз спектральних особливостей EPC дозволяє запропонувати моделі взаємодії фотострумів біля меж поділу складних напівпровідникових структур та одержувати дані про їх однорідність.

• Шеховцов Леонід Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"