Досліджено процеси відпалу дефектів та активації імплантованого алюмінію в 6H-SiC, а також оптимізацію режимів постімплантаційного відпалу. Виміряно поверхневий опір імплантованого шару, термоерс, оптичне пропускання та фотоерс холостого ходу в епітаксійних структурах і кристалах n-типу 6H-SiC після імплантації іонів Al<^>+ за температур 30 <$E symbol Р>C та 500 <$E symbol Р>C і постімплантаційного відпалу в інтервалі температур 1600 - 2000 <$E symbol Р>C. Показано, що відпал дефектів та активація алюмінію мають різні постійні часу, які визначаються умовами імплантації та відпалу. Вимірювання фотоерс холостого ходу дозволяють контролювати процес активації іонів алюмінію та оптимізувати умови відпалу.

• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"